Altıgen bor nitrürün yapısı

Bor nitrür (BN), mükemmel özelliklere ve büyük gelişme potansiyeline sahip yeni bir geniş-bant boşluklu nanomalzemedir. Nitrojen atomları ve bor atomlarından oluşan tipik bir ⅲ - ⅴ grubu bileşiğidir. Azot atomları ve bor atomları, farklı faz yapılarına sahip bor nitrür oluşturmak için farklı hibrit yollarla birbirleriyle birleşir: altıgen bor nitrür (H-BN), eşkenar dörtgen bor nitrür (R-BN), kübik bor nitrür (C-BN), wurtzite bor nitrür (W-BN) ve ortogonal bor nitrür (O-BN). Bunlar arasında altıgen bor nitrür doğada bulunan tek bor nitrür fazıdır.

Hexagonal boron nitride belongs to hexagonal crystal system, with the same hexagonal crystal structure as graphene. Its lattice constant A =0.2504nm, C =0.6661nm, is stacked by multi-layer structure. B-n-b between layers is connected by van der Waals force, easy to be peeled off, light in mass, non-conductive, with a wide band gap (5.1eV). It has the advantages of high hardness (Mohr hardness 2), high melting point (>3000K), 900 derecelik yüksek oksijen direnci, 2000 derecelik yüksek sıcaklık direnci, düşük termal genleşme/büzülme oranı, C - ekseni boyunca iyi ısı dağılımı ve çok çeşitli uygulamalara sahiptir. Ayrıca, tek veya çok -katmanlı altıgen BOR azotlu tüp nanomalzemeleri altıgen boron azotlu tüpe kıvrılabilir.